Сотрудники

Зыков Валерий Андреевич

  

Доцент, кандидат физико-математических наук

 

Лекционные курсы:

 

  • Материалы и компоненты твердотельной электроники

  • Технология материалов и компонентов электронной техники

  • Технология сверхпроводников

  • Физическая химия материалов электронной техники

  • Технологии наноэлектроники

  • Микроэлектроника

Краткие биографические данные

  • В 1971 году окончил Ленинградский политехнический институт - инженер-металлург,
  • кандидат физ.-мат.наук (1979),
  • доцент (1986), уч. зв. доцент (1988).

Основные научные интересы


  • Физика и технология изготовления полупроводниковых пленок и пленочных структур.

  • Легирование пленок. Взаимодействие примесей с собственными дефектами в полупроводниках.  

  • Приемники излучения на основе поликристаллических пленок халькогенидов свинца.

  •  Механизмы проводимости и фотопроводимости.  

  • Фотоприемники на основе полупроводниковых гетероструктур для ИК- и видимого спектральных диапазонов.

  • Полупроводниковые преобразователи солнечной энергии

Первое направление работ связано с исследованием электрических и фотоэлектрических свойств поликристаллических пленок халькогенидов свинца и структур на их основе. Актуальность исследований обусловлена тем, что фотоприемники на основе материалов этой группы являются основой многих приборов ИК-техники - приборов ночного видения, тепловизоров, ИК-томографов, устройств для мониторинга параметров окружающей среды, и т.д. По своей природе изучаемые объекты являются сильно неоднородными системами со сложными механизмами протекания электрического тока и фотопроводимости.

Неоднородность пленки является необходимым условием достижения высокой фоточувствительности (эффекты фотоусиления). Неоднородность пленки задается

специфической поликристаллической структурой тонкопленочного образца (размеры кристаллитов, их взаимное расположение). Параметры структуры контролируются путем управления концентрациями собственных точечных дефектов и легирующих примесей. Предметом исследования является взаимодействие примесей с собственными дефектами в бинарных халькогенидах свинца и влияния примесно дефектной структуры пленок на фотоэлектрические свойства.

 


Второе направление работ также связано с приемниками излучения и посвящено разработке приемника излучения для такого уникального источника света как Солнце и созданию преобразователя энергии солнечного излучения в электрическую. Современная тенденция в разработке приборов солнечной энергетики состоит в создании монолитных структур, которые состоят из последовательно соединенных фоточувствительных элементов из полупроводников с различной шириной запрещенной зоны, обладающих оптимальной чувствительностью в различных частях спектра излучения Солнца. Это приводит к существенному повышению эффективности преобразования за счет расширения спектральной чувствительности прибора. Одной из основных проблем при создании таких приборов является проблема электрического соединения элементов структуры. Объектом исследования является гетероструктура CdTe/Si, перспективная для использования в солнечной энергетике; задача исследования – изучение механизмов протекания тока через контакт указанных полупроводников, фотоэлектрических свойств структуры.        


 

Текущие научные проекты

  Направление научных исследований: "Фоточувствительные пленки и структуры".

 

Избранные публикации

 

  1. Александров С.Е., Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Красовицкий Д.М. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-GaxIn1-x N/p-Si, ФТП, 1998, т. 32, № 4, с. 461-465.
  2. Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Немов С.А. Особенности явления самокомпенсации в пленках PbS<Tl, Pbex>, ФТП, 1993, т. 27, № 2, с. 200-204.
  3. Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Немов С.А. Амфотерное поведение висмута в пленках селенида свинца, ФТП, 1995, т. 29, № 2, с. 309-315.
  4. Гаврикова Т.А., Зыков В.А. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипного гетероперехода Pb0.93Sn0.07Se/PbSe, ФТП, 1997, т. 31, № 11, с. 1342-1346.
  5. Гаврикова Т.А, Зыков В.А., Александров С.Е, Исследование пленок GaN<O> и структур на их основе, ФТП, 2000, т.34, в.3, с.297-301
  6. Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Робозеров В.В., Химическое травление халькогенидов свинца, Неорганические материалы, 2000, т.36, №2, с.177-182.
  7. Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Ильин В.И., Немов С.А., Савинцев П.В., Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях PbSe:Bi:Se, ФТП, 2001, т.35, в.11, с.1311-1315

  1. Шретер Ю.Г., Ребане Ю.Т., Зыков В.А., Сидоров В.Г., Широкозонные полупроводники. СПб.: Наука, 2001, 125 с.

  2. Гаврикова Т.А., Зыков В.А. Дислокации в кристаллах. Уч. пособие. СПб., изд-во СПбГТУ, 1998, 71 с.

 

Профиль в базах цитирований научных статей

Elibrary

Scopus

Участие в конференциях

 

Контакты

 

195251, Санкт-Петербург, Политехническая 29,
 2-й учебный корпус, помещение 214.
Телефон: (812) 552-9671
Факс: (812) 552-9516
 e-mail: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Дополнительная информация