Сотрудники

Шретер Юрий Георгиевич

 

 

Профессор, доктор физико-математических наук


Лекционные курсы:

  • Физика твердого тела
  • Широкозонные полупроводники

Краткие биографические данные

  • В 1967 году окончил Одесский политехнический институт - инженер-физик,
  • Доктор физ.-мат.наук (1993), уч.зв. - с.н.с. 

Основные научные интересы


  Направление научных исследований: "Технология GaN для светодиодов".
 

 

  • Получение GaN подложек HVPE методом.
  • Исследование дислокаций и дефектов упаковки в GaN.
  •  

Избранные публикации

 

  1. Bochkareva, N.I., Ivanov, A.M., Klochkov, A.V., Kogotkov, V.S., Rebane, Y.T., Virko, M.V., Shreter, Y.G.Hopping transport in the space-charge region of p-n structures with InGaN/GaN QWs as a source of excess 1/f noise and efficiency droop in LEDs Semiconductors 49 (6), pp. 827-835 (2015).
  2. Bochkareva, N.I., Rebane, Y.T., Shreter, Y.G.Efficiency droop and incomplete carrier localization in InGaN/GaN quantum well light-emitting diodesApplied Physics Letters 103 (19), 191101 (2013).
  3. Voronenkov, V., Bochkareva, N., Gorbunov, R., Latyshev, P., Lelikov, Y., Rebane, Y., Tsyuk, A., Zubrilov, A., Shreter, Y.Nature of V-shaped defects in GaNJapanese Journal of Applied Physics 52 (8 PART 2), 08JE14 (2013).
  4. Voronenkov, V.V., Bochkareva, N.I., Gorbunov, R.I., Latyshev, P.E., Lelikov, Y.S., Rebane, Y.T., Tsyuk, A.I., Zubrilov, A.S., Popp, U.W., Strafela, M., Strunk, H.P., Shreter, Y.G.Two modes of HVPE growth of GaN and related macrodefects Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 10 (3), pp. 468-471 (2013).
  5. Bochkareva, N.I., Voronenkov, V.V., Gorbunov, R.I., Zubrilov, A.S., Latyshev, P.E., Lelikov, Y.S., Rebane, Y.T., Tsyuk, A.I., Shreter, Y.G.Effect of localized tail states in InGaN on the efficiency droop in GaN light-emitting diodes with increasing current density Semiconductors 46 (8), pp. 1032-1039 (2012).
  6. Bochkareva, N.I., Voronenkov, V.V., Gorbunov, R.I., Zubrilov, A.S., Lelikov, Y.S., Latyshev, P.E., Rebane, Y.T., Tsyuk, A.I., Shreter, Y.G. Defect-related tunneling mechanism of efficiency droop in III-nitride light-emitting diodes Applied Physics Letters 96 (13), 133502 (2010).
  7. Efremov, A.A., Bochkareva, N.I., Gorbunov, R.I., Lavrinovich, D.A., Rebane, Yu.T., Tarkhin, D.V., Shreter, Yu.G.Effect of the joule heating on the quantum efficiency and choice of thermal conditions for high-power blue InGaN/GaN LEDs Semiconductors 40 (5), pp. 605-610 (2006).
  8. Shreter Y.G., Rebane Y.T. Dislocation-related luminescence in GaN, 23rd Int. Conf. On the Physics of Semiconductors, Berlin, 1996, v. 4, p. 2937, World Scientific, Singapure-New Jersey-London-Hong Kong
  9. Rebane, Y.T.Shreter Y.G. Nature of dislocation-related luminescence in diamond, zinc-blend and wurzite-type semiconductors, 1996, Inst. Phys. Conf. Ser No 155, Capter 9, p. 703-706
  10.  Rebane, Y.T.Shreter Y.G., Albrecht M. Stacking faults as quantum wells for electrons in wurtzite GaN, Phys.Stat.Sol.(a), 1997, v. 164, p. 141.

  1. Шретер Ю.Г., Ребане Ю.Т., Зыков В.А., Сидоров В.Г., Широкозонные полупроводники. СПб.: Наука, 2001, 125 с.

  2. Bower, K. E., Barbanel, Y. A., Shreter, Y. G., & Bohnert, G. W. (Eds.). Polymers, phosphors, and voltaics for radioisotope microbatteries. CRC press. (2002).

Профиль в базах цитирований научных статей

Elibrary

Scopus

Участие в конференциях

 

Контакты

 

195251, Санкт-Петербург, Политехническая 29,
2-й учебный корпус, помещение 210, 212.
Телефон: (812) 552-9671
Факс: (812) 552-9516
 e-mail: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. , Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Дополнительная информация