Сотрудники

Прошина Ольга Владимировна

 

 

Доцент, кандидат физико-математических наук


Лекционный курс:

  • Квантовая теория твердого тела

Краткие биографические данные

  • В 1993 году с отличием окончила Санкт-Петербургский государственный технический университет - инженер–оптик–исследователь;
  • кандидат физ.–мат. наук (1997),
  • ст. научн. сотрудник ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН,
  • доцент-совместитель кафедры ФИиНЭ с 2003 г 

 

Основные научные интересы

 

Оптические свойства наноструктур

В последние годы постоянно расширяется круг материалов, используемых для изготовления твердотельных наноструктур. Этот процесс обусловлен как развитием технологии, так и практическими потребностями получения структур с новыми свойствами. Особый интерес представляют собой квантово-размерные структуры, изготовленные с использованием материалов с высокой степенью ионности. В таких структурах часто реализуется условие для возникновения сильного электрон-фононного взаимодействия. Это приводит к кардинальной перестройке спектра элементарных возбуждений системы, в частности, к возникновению поляронов большого радиуса. При этом существенно изменяются оптические и транспортные свойства наноструктур. За последнее время достигнут значительный прогресс в экспериментальных исследованиях поляронных состояний в квантовых точках.

Текущие научные проекты


Наши теоретические исследования электрон-фононного взаимодействия показали, что в структурах с пониженной размерностью существенную роль играют интерфейсные оптические фононы. При этом оказывается, что как оптические, так и электрические свойства наноструктур существенно зависят от поляризационных свойств материала барьеров.

Были изучены наноструктуры различной симметрии, и для всех типов структур удалось определить ветви оптических фононов, которые оказывают наибольшее воздействие на модификацию спектра возбуждений. Развит оригинальный метод учета влияния интерфейсных фононов на поляронные состояния в квантовых ямах, проволоках и точках. Этот метод позволяет определить величину электрон–фононного взаимодействия без вычисления точного фононного спектра структуры. Показано, что в симметричных квантовых ямах для описания электрон-фононного взаимодействия можно использовать эффективную константу, которая определяется массой носителей в квантовой яме и диэлектрическими свойствами барьеров. Такой вид константы взаимодействия возникает при последовательном учете влияния интерфейсных оптических фононов. Эта константа может быть использована как в случае сильного, так и слабого электрон-фононного взаимодействия. Доказательство существования нового типа интерфейсных возбуждений в гетероструктурах представляет собой принципиально новый результат. Он открывает новые направления развития исследований в физике наногетероструктур.

Избранные публикации

 

  1. A.Yu. Maslov, O.V. Proshina. Resonance enhancement of electron-phonon interaction in nanostructures. AIP Conference Proceeding Series, 1566, 231 (2013)
  2. A.Yu. Maslov, O.V. Proshina. The decisive role of interface phonons in polaron state formation in quantum nanostructures. WORLD SCIENTIFIC. The Science and Culture Series - Physics, Epioptics-11, p.92-98 (2012)
  3. А.Ю. Маслов, О.В. Прошина. Роль интерфейсных фононов при формировании поляронных состояний в квантовых ямах. 2010, ФТП, т.44, N 2 с. 200-204 (2010)

 

Профиль в базах цитирований научных статей

Elibrary

Scopus

Участие в конференциях

 

Контакты

194021, Политехническая ул., 26, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН,

Телефон: (812) 292 7397

Факс: (812) 297 1017

Эл. почта: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.  

 

Дополнительная информация