Мелентьев Григорий Александрович

  

Ведущий инженер

 


Краткие биографические данные:

  • В 2009 году окончил Санкт-Петербургский государственный политехнический университет - магистр техники и технологии.

Основные научные интересы:


  • Оптические явления и неравновесные носители заряда в полупроводниках и наноструктурах
  • Разработка новых оптоэлектронных приборов (источников и детекторов излучения) среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра

Трудно представить современную физику твердого тела без полупроводниковых лазеров. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур, квантовых ям, квантовых нитей и квантовых точек, являются сегодня предметом исследований большого числа исследовательских групп в области физики полупроводников. Их широкое использование в телекоммуникационных системах, спектроскопии, экологическом мониторинге, медицине определяет актуальность исследования процессов рекомбинации и разогрева носителей заряда в квантовых ямах. Для оптимизации параметров полупроводниковых лазеров важно понять, какие процессы влияют на время жизни и рекомбинацию неравновесных носителей заряда. Кроме этого, исследование указанных процессов интересно и с физической точки зрения: оно расширяет наши знания о физике наноматериалов, процессах взаимодействия фононной и электронной систем в условиях размерного квантования.

Текущие научные проекты:


 Создание новых источников излучения терагерцового диапазона – актуальная задача полупроводниковой оптоэлектроники. Для практических применений наиболее удобны источники излучения с электрическим возбуждением. В связи с этим ставится задача исследования различных механизмов эмиссии терагерцового излучения из полупроводниковых микро- и наноструктур в электрическом поле. Одним из перспективных направлений в этой области является использование оптических переходов горячих (неравновесных) электронов между примесными состояниями в полупроводниках.

Избранные публикации:

 

  1. G.A.Melentev, V.A.Shalygin, L.E.Vorobjev, V.Yu.Panevin, D.A.Firsov, L.Riuttanen, S.Suihkonen, V.V.Korotyeyev, Yu.M.Lyaschuk, V.A.Kochelap, V.N.Poroshin. Interaction of surface plasmon polaritons in heavily doped GaN microstructures with terahertz radiation. Journ. of Appl. Phys. 119, 093104 (2016).
  2. G A Melentev, D Yu Yaichnikov, V A Shalygin, M Ya Vinnichenko, L E Vorobjev, D A Firsov, L Riuttanen, S Suihkonen. Plasmon phonon modes and optical resonances in n-GaN. Journal of Physics: Conference Series 690 012005 (2016).
  3. Agekyan, V. F., Borisov E. V., Vorobjev L. E., Melentyev G. A., Nykänen H., Riuttanen L., Serov A.Y., Suihkonen S., Svensk O., Filisofov N.G., Shalygin V.A., Shelukhin L.A. Optical and electrical properties of GaN: Si-based microstructures with a wide range of doping levels. Physics of the Solid State, 57(4), 787-793 (2015).
  4. Д.А.Фирсов, Л.Е.Воробьев, М.Я.Винниченко, Р.М.Балагула, М.М.Кулагина, А.П.Васильев. Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Физика и техника полупроводников 49, вып. 11, 1473-1477 (2015).
  5. D.A. Rybalko, M.Ya.Vinnichenko, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, R.M. Balagula, M.M. Kulagina, A.P. Vasil'iev. Intersubband absorption modulation in the GaAs/AlGaAs double tunnel-coupled quantum wells. Journal of Physics: Conference Series 586 012012 (2015).
  6. М.Я. Винниченко, А.Н. Софронов, Д.А. Фирсов С.С. Дремов, А.Л. Тер-Мартиросян. Исследование оптических свойств фотодитазина для расширения возможностей фотодинамической терапии. НТВ СПбГПУ. Физико-математические науки. Биофизика и медицинская физика", №3(201), стр. 110-117 (2014).
  7. D.A. Rybalko, M.Ya.Vinnichenko, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, R.M. Balagula, V.Yu. Panevin, M.M. Kulagina, A.P. Vasil'iev. Intersubband light absorption in tunnel-coupled GaAs/AlGaAs quantum wells for electrooptic studies. Journal of Physics: Conference Series 541 012081 (2014).
  8. Винниченко М.Я., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Машко М.О., Балагула Р.М., Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего ИК диапазона с квантовыми ямами, Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. № 11. С. 1526-1529.
  9. В.Ю. Паневин, А.Н. Софронов, Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, М.Я. Винниченко, Р.М.Балагула, А.А. Тонких, P. WernerB. Fuhrman, G. Schmidt, Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si, Физика и техника полупроводников 47, вып. 12, 1599-1603 (2013).
  10. A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorobjev, V. A. Shalygin, V. Yu. Panevin, M. Ya. Vinnichenko, A. A. Tonkikh and S. N. Danilov, Mid infrared optical properties of Ge/Si quantum dots with different doping level, AIP Conf. Proc. №1566, с. 441-442 (2013).
  11. Maxim Ya. Vinnichenko, Leonid E. Vorobjev, Dmitry A. Firsov, Marina O. Mashko, Anton N. Sofronov, Leon Shterengas and Gregory Belenky, Dynamics of charge carrier recombination and capture in laser nanostructures with InGaAsSb/AlGaAsSb quantum wells, AIP Conf. Proc. №1566, с. 480-481 (2013).
  12. Д. Донецкий (D. Donetsky), Г. Беленький (G. Belenky), Л.Е. Воробьев, М.Я. Винниченко, Д.А. Фирсов, Р.М. Балагула, А.В. Бобылев, С.П. Свенсон (S. P. Svensson), Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs/GaSb, Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки, раздел "Физика конденсированного состояния" №2(170), стр. 15-21 (2013).
  13. Винниченко М.Я., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Машко М.О., Динамика фотолюминесценции в наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb, Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 12. С. 1581-1586.
  14. Аникеева М.С., Винниченко М.Я., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Тонких А.А., Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек, Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. – 2012.–№ 4 (158).–С. 9 – 15.
  15. М.Я. Винниченко, Д.А. Фирсов, М.О. Машко, Л. Штеренгас (L. Shterengas), Г. Беленький (G. Belenky), Л.Е. Воробьев Рекомбинация и захват электронов в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb, Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. – 2012.–№ 3 (153).–С. 7 – 13.
  16. В.А.Шалыгин, Л.Е.Воробьев, Д.А.Фирсов, А.Н.Софронов, Г.А.Мелентьев, М.Я.Винниченко, В.В.Лундин, А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, А.Ф.Цацульников, Эмиссия терагерцового излучения из селективно-легированных гетероструктур AlGaN/GaN при разогреве двумерных электронов электрическим полем, Известия Российской Академии наук, серия физическая, 76, 236-239 (2012).
  17. Л.Е.Воробьев, Д.А.Фирсов, М.Я.Винниченко, В.Л.Зерова, Г.А.Мелентьев, М.О.Машко, L.Shterengas, G.Kipshidze, G.Belenky, T.Hosoda Влияние оже-рекомбинации на время жизни неравновесных носителей заряда в структурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb, Известия Российской Академии наук, серия физическая, 76, 240-242 (2012).
  18. Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, А.Н. Софронов, Г.А. Мелентьев, М.Я. Винниченко, А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, Фотоиндуцированное поглощение в структурах с квантовыми точками Ge/Si, «Научно-технические ведомости СПбГПУ», серии "Физико-математические науки": №3(129) 2011, раздел "Атомная физика, физика кластеров и наноструктур", стр. 45-50.
  19. Г.А.Мелентьев, В.А.Шалыгин, М.Я.Винниченко, А.Н.Софронов, Л.Е.Воробьев, Д.А.Фирсов, Дальнее инфракрасное излучение горячих двумерных электронов в одиночном гетеропереходе AlGaN/GaN, «Научно-технические ведомости СПбГПУ», серии "Физико-математические науки": №2(122)2011, раздел "Физика конденсированного состояния, стр. 25-30.
  20. Воробьев Л.Е., Винниченко М.Я., Фирсов Д.А., Зерова В.Л., Паневин В.Ю., Софронов А.Н., Тхумронгсилапа П., Устинов В.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Разогрев носителей заряда в квантовых ямах GaAs/AlGaAs с различным типом проводимости при мощном оптическом возбуждении, Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. № 11. С. 1451-1454.
  21. Л.Е.Воробьев, М.Я.Винниченко, Д.А.Фирсов, В.Л.Зерова, В.Ю.Паневин, А.Н.Софронов, П.Тхумронгсила-па, В.М.Устинов, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, L.Shterengas, G.Kipshidze, T.Hosoda, G.BelenkyРазогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар, "Наука", ФТП, 2010, том 44, выпуск 11, C. 1451-1454.
  22. Д.А.Фирсов, Л.Е.Воробьев, В.А.Шалыгин, А.Н.Софронов, В.Ю.Паневин, М.Я.Винниченко, П.Тхумронгсила-па, С.Д.Ганичев, С.Н.Данилов, А.Е.Жуков, Поглощение и модуляция излучения в наноструктурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs, Известия Академии наук, серия физическая, 74, C. 91-94 (2010).
  23. D.A.Firsov, L.E.Vorobjev, V.A.Shalygin, A.N.Sofronov, V.Yu.Panevin, M.A.Vasil'eva, M.Ya.Vinnichenko, P.Thumrongsilapa, S.N.Danilov, A.E.Zhukov, A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, Light absorption related to hole transitions in quantum dots and impurity centers in quantum wells under external excitation, Journal of Physics: Conference Series 193 (2009) 012059.

 

 

 

Профиль в базах цитирований научных статей:

Elibrary

Scopus

Участие в конференциях:

  • IX, XI– XVI Всероссийские молодежные конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург 2007, 2009 – 2014)
  • IX, X, XII Российские конференции по физике полупроводников (Новосибирск - Томск 2009, Нижний Новгород 2011, Зеленоград 2015)
  • XXXVI – XLIII недели науки СПбГПУ (Санкт-Петербург 2007 – 2014)
  • 2, 3 Российские Симпозиумы "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (Санкт-Петербург 2010, 2012)

  • 16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (Montpellier 2009)
  • 18th – 21th International Symposium ”Nanostructures: Physics and Technology” (St. Petersburg 2010, 2013, 2015, Ekaterinburg 2011, Nizhny Novgorod 2012)
  • 1st – 2nd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint-Petersburg OPEN (St. Petersburg 2014, 2015)
  • 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (Zurich, Switzerland 2012).
  • XII, XIV – XIX Международные симпозиумы "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород 2008, 2010 – 2015).

Контакты:

 

195251, Санкт-Петербург, Политехническая 29,
2-й учебный корпус, помещение 210.
Телефон: (812) 552-9671
Факс: (812) 533-47-17
Эл. почта: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Дополнительная информация