Махов Иван Сергеевич

  

Аспирант, инженер

 


Краткие биографические данные:

  • В 2015 году окончил Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого - магистр по направлению «электроника и наноэлектроника».

Основные научные интересы:


  • Оптические и фотоэлектрические явления, связанные с неравновесными носителями заряда в полупроводниках и полупроводниковых микро- и наноструктурах
  • Разработка новых оптоэлектронных приборов (источников и детекторов излучения) среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра

Возрастающий в последние годы интерес к терагерцовому излучению связан с широкими возможностями его применения в различных областях науки и техники. Действительно, линии поглощения, которые вызваны колебательными и вращательными переходами органических молекул, находятся в ТГц части спектра, что позволяет осуществлять их исследование, а также селективное воздействие на них. ТГц излучение не обладает ионизирующим действием, что делает его безопасным для живых организмов и позволяет применять его для медицинской диагностики и экологического мониторинга окружающей среды. Благодаря высокой проникающей способности, ТГц излучение может быть использовано в системах безопасности (например, для обнаружения спрятанных предметов). Сферы возможного применения терагерцового излучения не ограничиваются указанными областями и постоянно расширяются.
Все вышеперечисленные современные технологии не получили пока широкого распространения из-за отсутствия подходящих источников терагерцового излучения. Дело в том, что все известные на сегодня источники ТГц излучения (лазеры на свободных электронах, молекулярные газовые лазеры, лазеры на горячих дырках в германии, квантово-каскадные лазеры) либо чрезмерно громоздки, либо чрезмерно дороги (либо обладают обоими этими недостатками одновременно). Поэтому актуальными являются исследования, направленные на создание новых схем генерации терагерцового излучения.

Текущие научные проекты:


  Задача создания новых источников терагерцового излучения является актуальной на сегодняшний день. Такие терагерцовые источники излучения могут быть созданы на основе полупроводниковых микро- и наноструктур с мелкими примесями. Неравновесные носители заряда в структурах могут быть созданы в результате оптического и электрического возбуждения. В связи с этим ставится задача исследования различных механизмов эмиссии терагерцового излучения из полупроводниковых микро- и наноструктур с мелкими примесями как при оптическом возбуждении, так и при воздействии сильных электрических полей.

Избранные публикации:

 

  1. A A Shumilov, M Ya Vinnichenko, R M Balagula, I S Makhov, D A Firsov, L E Vorobjev. Intersubband light absorption in double GaAs/AlGaAs quantum wells under lateral electric field . Journal of Physics: Conference Series 690 012017 (2016).
  2. Д.А.Фирсов, Л.Е.Воробьев, В.Ю. Паневин, А.Н. Софронов, Р.М. Балагула, И.С. Махов, Д.В. Козлов, А.П.Васильев. Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке. Физика и техника полупроводников 49, вып. 1, 30-34 (2015).
  3. A.V. Selivanov, I.S. Makhov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, L. Shterengas. Mid-infrared photoluminescence from structures with InAs/GaSb type II quantum wells. Journal of Physics: Conference Series 643 012078 (2015).
  4. L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, R.M. Balagula, I.S. Makhov, A.P. Vasil’ev. Far- and near-infrared photoluminescence from n-GaAs/AlGaAs multiple quantum wells. Journal of Physics: Conference Series 541 012082 (2014).
  5. Vorobjev L.E., Firsov D.A., Panevin V.Yu., Sofronov A.N., Balagula R.M., Makhov I.S. Near- and far-infrared emission from GaAs/AlGaAs quantum wells under interband optical excitation. St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. No. 4-2(182), pp.109-114 (2013).

 

 

 

Профиль в базах цитирований научных статей:

Elibrary

Scopus

Участие в конференциях:

  • IX, XV– XVII Всероссийские молодежные конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург 2013 – 2015)
  • XLII – XLIV недели науки СПбГПУ (Санкт-Петербург 2013 – 2015)

  • National and International Networks GDR&I THz "Semiconductor sources and detectors of THz frequencies" (2013, Montpellier, France).
  • 22th International Symposium ”Nanostructures: Physics and Technology” (St. Petersburg 2014)
  • 1st – 2nd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint-Petersburg OPEN (St. Petersburg 2014, 2015)
  • XVIII Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород 2014).

Контакты:

 

195251, Санкт-Петербург, Политехническая 29,
2-й учебный корпус, помещение 210.
Телефон: (812) 552-9671
Факс: (812) 533-47-17
Эл. почта: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Дополнительная информация