Сотрудники

Гаврикова Татьяна Андреевна

 

 

Доцент, кандидат физико-математических наук

 

Лекционные курсы: 

  • Материаловедение полупроводников
  • Оптические материалы и технологии
  • Химия радиоматериалов
  • Материалы и компоненты электронной техники
  • Технология материалов и изделий электронной техники

Краткие биографические данные

  • В 1976 году окончила Ленинградский политехнический институт - инженер-электронной техники,
  • Кандидат физ.-мат.наук (1991), доц. (1993), ученое звание –доцент (1996 )..

Основные научные интересы

Физика и технология приборов оптоэлектроники, исследование процессов получения, электрических и фотоэлектрических свойств тонких пленок и полупроводниковых гетероструктур с целью создания на их основе приемников излучения:

  •  ИК-диапазона на основе тонких пленок халькогенидов свинца и гетероструктур PbSe/PbSnSe;

  •  видимого и ближнего УФ-диапазонов на основе гетероструктур Si/GaN, Si/GaInN, Si/GaN<O>;

  •  для преобразования солнечного излучения на основе гетероструктуры Si/CdTe.

Одним из актуальных направлений развития современной оптоэлектроники является разработка и создание приемников излучения для систем передачи, обработки и преобразования световой энергии в различных частях спектрального диапазона. Среди разнообразных способов регистрации излучения высокую эффективность показали фотоэлектрические методики, основанные на внутреннем фотоэффекте в полупроводниках. Конструктивно современные фотовольтаические приемники представляют собой полупроводниковые структуры с p-nпереходом и гетероструктуры – монолитные структуры, составленные из разнородных полупроводников. Последние, по сочетанию электрических, оптических и фотоэлектрическим параметров, обладают рядом преимуществ по сравнению с другими типами приборов, что делает их незаменимыми при решении ряда практических задач.

Создание фотоэлектрического преобразователя на основе гетероструктур требует решения комплекса физических и физико-технологических задач, очевидно конкретных для каждой структуры. Для эффективной работы структуры требуется оптимизация параметров компонентов структуры, равно как и обеспечение высокого качества границы раздела (контакта) двух полупроводников. Для гетероструктуры PbSe/PbSnSe, построенной на базе узкозонных полупроводников, вторая проблема не актуальна, поскольку параметры решетки контактирующих полупроводников практически не отличаются. Для этой структуры предметом исследования являются физические свойства компонентов гетероструктуры, на которые наибольшее влияние оказывают собственные дефекты и примеси, с учетом их сложного взаимодействия (компенсация, самокомпенсация, амфотерный характер поведения ряда примесей), т.е. фундаментальные проблемы узкозонных халькогенидов свинца. 


Вторая группа исследуемых структур – это гетероструктуры, в которых в качестве одного из компонентов используется кремний, т.е. материал, в котором методами микроэлектроники можно создавать структуры считывания (и обработки) информации. В частности, сочетание кремния с широкозонным нитридом галлия и твердыми растворами на его основе (GaInN, GaN<O>), позволяет расширить спектральный диапазон чувствительности практически на всю видимую область спектра. Для таких гетероструктур актуальными являются исследования электрических свойств границ раздела полупроводников из-за значительного рассогласования параметров решетки полупроводников.       


 

Текущие научные проекты

  Направление научных исследований: "Фоточувствительные пленки и структуры".

  Предмет исследования – технология изготовления тонких пленок и эпитаксиальных структур, исследование поведения примесей и дефектов в полупроводниках, исследование свойств структур электрическими и оптическими методами.


В настоящее время предметом исследования является гетероструктура Si/CdTe. Эта структура является прообразом монолитного каскадного преобразователя солнечной энергии в электрическую. Теллурид кадмия обладает оптимальным набором физических параметров для преобразования световой энергии от источника со спектральным распределением Солнца, а на базе кремния созданы эффективные преобразователи. Сочетание теллурида кадмия с кремнием позволит расширить спектральный диапазон чувствительности и повысит эффектвность преобразования. (Теоретический КПД таких структур оценивается величинами превышающими 40%.) Основные проблемы связаны с согласованием компонентов структуры, поскольку на металлургической границе перехода важную роль играют дислокации несоответствия.      


 

Избранные публикации

 

  1. Александров С.Е., Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Красовицкий Д.М. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-GaxIn1-x N/p-Si, ФТП, 1998, т. 32, № 4, с. 461-465.
  2. Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Немов С.А. Особенности явления самокомпенсации в пленках PbS<Tl, Pbex>, ФТП, 1993, т. 27, № 2, с. 200-204.
  3. Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Немов С.А. Амфотерное поведение висмута в пленках селенида свинца, ФТП, 1995, т. 29, № 2, с. 309-315.
  4. Гаврикова Т.А., Зыков В.А. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипного гетероперехода Pb0.93Sn0.07Se/PbSe, ФТП, 1997, т. 31, № 11, с. 1342-1346. 
  5. Гаврикова Т.А., Зыков В.А. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипного гетероперехода Pb0.93Sn0.07Se/PbSe, ФТП, 1997, т. 31, № 11, с. 1342-1346.
  6. Гаврикова Т.А, Зыков В.А., Александров С.Е, Исследование пленок GaN<O> и структур на их основе, ФТП, 2000, т.34, в.3, с.297-301
  7. Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Робозеров В.В., Химическое травление халькогенидов свинца, Неорганические материалы, 2000, т.36, №2, с.177-182.
  8. Зыков В.А., Гаврикова Т.А., Ильин В.И., Немов С.А., Савинцев П.В., Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях PbSe:Bi:Se, ФТП, 2001, т.35, в.11, с.1311-1315
  9. Гаврикова Т.А.,Ильин В.И., Зубкова , Зыков В.А., Фотопроводимость поликристаллических пленок халькогенидов свинца, Научно-технические ведомости СПбГПУ, №2(54), 2008, с. 83-91

  10. Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Ильин В.И., Приемники излучения на основе гетероструктур, Научно-технические ведомости СПбГПУ, №2(54), 2008, с. 65-72

  1. Гаврикова Т.А., Зыков В.А. Дислокации в кристаллах. Уч. пособие. СПб., изд-во СПбГТУ, 1998, 71 с.

 

Профиль в базах цитирований научных статей

Elibrary

Scopus

Участие в конференциях

 

Контакты

 

195251, Санкт-Петербург, Политехническая 29,
 2-й учебный корпус, помещение 214.
Телефон: (812) 552-9671
Факс: (812) 552-9516
 e-mail: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Дополнительная информация