Балагула Роман Михайлович

  

Инженер 1 кат., аспирант

 


Краткие биографические данные:

  • В 2012 году окончил Санкт-Петербургский государственный политехнический университет - магистр техники и технологии. С 2012 года обучается в аспирантуре под руководством Л.Е. Воробьева.

Основные научные интересы:


  • Оптические явления и неравновесные носители заряда в полупроводниках и наноструктурах
  • Разработка новых оптоэлектронных приборов (источников и детекторов излучения) среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра

Текущие научные проекты:


 Создание новых источников излучения терагерцового диапазона – актуальная задача полупроводниковой оптоэлектроники. Для практических применений наиболее удобны источники излучения с электрическим возбуждением. В связи с этим ставится задача исследования различных механизмов эмиссии терагерцового излучения из полупроводниковых микро- и наноструктур в электрическом поле. Одним из перспективных направлений в этой области является использование оптических переходов горячих (неравновесных) электронов между примесными состояниями в полупроводниках.

Избранные публикации:

 

  1. A A Shumilov, M Ya Vinnichenko, R M Balagula, I S Makhov, D A Firsov, L E Vorobjev. Intersubband light absorption in double GaAs/AlGaAs quantum wells under lateral electric field . Journal of Physics: Conference Series 690 012017 (2016).
  2. Sofronov A. N., Vorobjev L. E., Firsov D. A., Panevin V. Y., Balagula R. M., Werner P., Tonkikh A. A.. Photoinduced mid-infrared intraband light absorption and photoconductivity in Ge/Si quantum dots. Superlattices and Microstructures, 87, 53-57 (2015).
  3. Sofronov, A.N., Vorobjev, L.E., Firsov, D.A., Panevin, V.Y., Balagula, R.M., Werner, P., Tonkikh, A.A. Photoinduced mid-infrared intraband light absorption and photoconductivity in Ge/Si quantum dots. Superlattices and Microstructures. Available online (29 June 2015).
  4. Д.А.Фирсов, Л.Е.Воробьев, М.Я.Винниченко, Р.М.Балагула, М.М.Кулагина, А.П.Васильев. Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Физика и техника полупроводников 49, вып. 11, 1473-1477 (2015).
  5. D.A. Rybalko, M.Ya.Vinnichenko, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, R.M. Balagula, M.M. Kulagina, A.P. Vasil'iev. Intersubband absorption modulation in the GaAs/AlGaAs double tunnel-coupled quantum wells. Journal of Physics: Conference Series 586 012012 (2015).
  6. L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, R.M. Balagula, A.A. Tonkikh. Mid-infrared light absorption by photo-excited charge carriers in Ge/Si quantum dots. Journal of Physics: Conference Series 586 012001 (2015)
  7. Д.А.Фирсов, Л.Е.Воробьев, В.Ю.Паневин, А.Н.Софронов, Р.М.Балагула, И.С.Махов, Д.В.Козлов, А.П.Васильев. Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке. Физика и техника полупроводников, том 49, выпуск 1, с.30-34 (2015).
  8. D.A. Rybalko, M.Ya.Vinnichenko, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, R.M. Balagula, V.Yu. Panevin, M.M. Kulagina, A.P. Vasil'iev. Intersubband light absorption in tunnel-coupled GaAs/AlGaAs quantum wells for electrooptic studies. Journal of Physics: Conference Series 541 012081 (2014).
  9. L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, R.M. Balagula, I.S. Makhov, A.P. Vasil’ev. Far- and near-infrared photoluminescence from n-GaAs/AlGaAs multiple quantum wells. Journal of Physics: Conference Series 541 012082 (2014).
  10. R.M. Balagula, A.N. Sofronov, V.Yu. Panevin, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, A.A. Tonkikh, P. Werner. Photoinduced absorption and photoconductivity of Ge/Si quantum dots in mid-infrared range under interband excitation. Journal of Physics: Conference Series 541 012087 (2014).
  11. D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, R.M. Balagula, D.V. Kozlov. Impurity-related terahertz emission from quantum well nanostructures. Lithuanian Journal of Physics 54(1) pp.45-49 (2014).
  12. Vorobjev L.E., Firsov D.A., Panevin V.Yu., Sofronov A.N., Balagula R.M., Makhov I.S. Near- and far-infrared emission from GaAs/AlGaAs quantum wells under interband optical excitation., St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. № 4-2(182). pp. 109-114 (2013).
  13. Винниченко М.Я., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Машко М.О., Балагула Р.М. Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего ИК диапазона с квантовыми ямами, Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. № 11. С. 1526-1529.
  14. В.Ю. Паневин, А.Н. Софронов, Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, М.Я. Винниченко, Р.М.Балагула, А.А. Тонких, P. WernerB. Fuhrman, G. Schmidt, Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si, Физика и техника полупроводников 47, вып. 12, 1599-1603 (2013).
  15. Д. Донецкий (D. Donetsky), Г. Беленький (G. Belenky), Л.Е. Воробьев, М.Я. Винниченко, Д.А. Фирсов, Р.М. Балагула, А.В. Бобылев, С.П. Свенсон (S. P. Svensson), Время жизни носителей заряда в сверхрешетках InAs/GaSb, Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки, раздел "Физика конденсированного состояния" №2(170), стр. 15-21 (2013).

 

 

 

Профиль в базах цитирований научных статей:

Elibrary

Scopus

Участие в конференциях:

  • IX, XII– XVI Всероссийские молодежные конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург 2010 – 2014)
  • XII Российская конференция по физике полупроводников (Ершово 2015)
  • XXXIX – XLIII недели науки СПбГПУ (Санкт-Петербург 2009 – 2014)

  • 21th – 23th International Symposium ”Nanostructures: Physics and Technology” (St. Petersburg 2013 – 2015)
  • 1st – 2nd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint-Petersburg OPEN (St. Petersburg 2014, 2015)
  • XVIII – XIX Международные симпозиумы "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород 2014 – 2015).
  • International Conference on the Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN16, Medellin, Colombia, 2015)
  • 15th International Symposium on Ultrafast Phenomena in Semiconductors (Vilnius, Lithuania, 2013)

Контакты:

 

195251, Санкт-Петербург, Политехническая 29,
2-й учебный корпус, помещение 210.
Телефон: (812) 552-9671
Факс: (812) 533-47-17
Эл. почта: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Дополнительная информация