Завершилась XLII научно-практическая конференция с международным участием "Неделя науки СПбГПУ"

На секции «Физика полупроводников и наноэлектроника» принято 10 докладов:

1. И.С. Махов, студ. 5 к., (научн. руковод. – ст.преп. В.Ю. Паневин), СПбГПУ
Люминесценция ближнего инфракрасного диапазона в структурах с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении.

2. В.В. Манухов, СПбГУ, А.Б. Федорцов, А.С. Иванов, Ю.В. Чуркин, НМСУ «Горный»
Бесконтактный метод определения длины диффузии носителей заряда в плоскопараллельных полупроводниковых пластинках.

3. М.А. Елистратова, студ. 5 к., (научн. руковод. – к.т.н., доц. И.Б. Захарова), СПбГПУ
Оптическая спектроскопия композитных материалов на основе С60<А2В6>.

4. Д.С. Мостовой, студ. 6 к., (научн. руковод. – инж. Г.А. Мелентьев, к.ф.-м.н., доц. В.А. Шалыгин), СПбГПУ
Горячие поверхностные плазмон-поляритоны в микроструктурах n-GaN.

5. Г.М. Аблаев, асп. 1 к., М.Ю. Семерухин (СПб АУ – НОЦ НТ РАН), Д.В. Жилина, А.В. Кукин (СПбГЭТУ), А.И. Косарев, М.З. Шварц, Е.И. Теруков (НТЦ ТПТ в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН)
Тонкопленочные полупрозрачные солнечные модули на основе аморфного и микрокристаллического кремния.

6. П.А. Дмитриев, студ. 3 к., ФТИ им. А.Ф.Иоффе, В.С. Калиновский, Е.Б. Контрош, П.В. Покровский, А.В. Чекалин, В.М. Андреев
Механизмы токопрохождения и КПД концентраторных InGaP/GaAs/Ge солнечных элементов при температурах ниже 300К.

7. С.К. Суворов, студ. 6 к., (научн. руковод. – ст.преп. В.Ю. Паневин), СПбГПУ
Фотолюминесценция в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs p-, i-, n-типа проводимости при слабых уровнях возбуждения.

8. В.А. Юрова, доцент, СПб ГУТ им. проф. М.А.Бонч-Бруевича, (научн. руковод. – д.ф.-м.н., проф. А.Б. Федорцов, НМСУ «Горный»)
Исследование влияния параметров металлического слоя на дисперсионные силы в МДП–структурах.

9. А.В. Селиванов, асп. 1 к., (научн. руковод. – д.ф.-м.н., проф. Д.А. Фирсов, ст. преп. В.Ю. Паневин), СПбГПУ
Терагерцовая люминесценция в квантовых ямах p-типа, связанная с акцепторными состояниями.

10. Р.М. Балагула, асп. 2 к., (научн. руковод. – д.ф.-м.н., проф. Л.Е. Воробьев, к.т.н., доц. А.Н. Софронов), СПбГПУ
Оптические свойства полупроводниковых структур с квантовыми точками Ge/Si в средней инфракрасной области спектра.

По результатам XLII Недели Науки СПбГПУ студенты кафедры поощрены:

Дополнительная информация