Неделя науки

В период с 30 ноября по 5 декабря 2015 г. состоится Научный форум с международным участием « XLIV НЕДЕЛЯ НАУКИ СПбПУ ».

 

Пленарное заседание секции "Физика полупроводников и наноэлектроника" в рамках «XLIV НЕДЕЛЯ НАУКИ СПбПУ»

Время проведения: 3 декабря, 14-00 - 17-00
Место: учебный корпус № 2 , ауд. 209 (см. карту кампуса университета) или (см. как пройти на кафедру ФПиНЭ)
Председатель – ст. преп. В.Ю. Паневин
Секретарь – инж. И.С. Полухин
Научный руководитель – д.ф.-м.н., проф. Д.А. Фирсов
Временной регламент: 10 мин на доклад.

Научная программа пленарного заседания:

1. Исследование взаимодействия металлопорфиринов с фуллереном С60.
М.А. Елистратова, асп. 1 г., (научн. руковод. – к.ф.-м.н., доц. И.Б. Захарова), Н.М. Романов, (СПбПУ), О.Е. Квятковский (ФТИ им. Иоффе РАН)

2. Исследование динамики релаксации неравновесных носителей заряда в структурах с квантовыми точками GeSi/Si.
О.И. Кириленко, студ. 5 к., (научн. руковод. – д.ф.-м.н., доц. А.Н. Софронов Р.М. Балагула (СПбПУ)

3. Модель лазера с пассивной синхронизацией мод на квантовых ямах.
Д.А. Рыбалко, асп. 1 г., (научн. руковод. – к. ф.-м.н., М.А. Одноблюдов), И.С. Полухин, Ю.В. Соловьев, Г.А. Михайловский (СПбПУ)

4. Термоэлектрические свойства тонких лент состава Co4Sb11.6Te0.4, полученных методом спиннингования из расплава.
А.И. Федотов, студ. 6 к. (СПбПУ), (научн. руковод. – д.ф.-м.н., в.н.с. А.Т. Бурков (ФТИ им. А.Ф.Иоффе))

5. Фотоэлектрические свойства структур на основе квантовых точек PbS на проводящей подложке.
Г. Шаравпил, студ. 6 к., (научн. руковод. – к.ф.-м.н., доц. С.Ф. Мусихин) (СПбПУ)

6. Пропускание света туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в продольном электрическом поле.
А.А. Шумилов, студ. 4 к., (научн. руковод. – к.ф.-м.н., ст.преп. М.Я. Винниченко) И.С. Махов, Р.М. Балагула, Л.Е. Воробьёв (СПбПУ)

7. Исследование зависимости дисперсионных сил в МДП–структурах от свойств материала диэлектрика.
В.А. Юрова (СПбГУТ им. проф. М.А. Бонч-Бруевича), А.Б. Федорцов (НМСУ «Горный»)

8. Получение гетеропереходов Si/ZnXCd1-XTe с различным значением Х и исследование их фотоэлектрических и электрических свойств.
А.П.Ягунов, студ. 5 к., (научн. руковод. – к.ф.-м.н., доц. В.А. Зыков) Т.А.Гаврикова, И.C. Полухин (СПбПУ)

9. Cелекция мод в микродисковых резонаторах.
М.А. Балезин, студ. 4 к., (СПбПУ), (научн. руковод. – к.ф.-м.н., с.н.с. Н.В. Крыжановская), М.В. Максимов, И.С. Мухин, А.А. Богданов, З.Ф. Садриева, М.М. Кулагина, Ю.М. Задиранов, Э.И. Моисеев, Ю.В. Кудашова, А.Е. Жуков (СПбАУ РАН)

10. Исследование электрических свойств GaN ННК, выращенных методом МОГФЭ с Тi маской.
А.А. Васильев, студ. 6 к., (СПбПУ), (научн. руковод. – к.ф.-м.н., с.н.с. В.В.Лундин (ФТИ им. Иоффе РАН), А.М. Можаров (СПбАУ РАН), М.М. Рожавская (ФТИ им. Иоффе РАН), И.С. Мухин (СПбАУ РАН и Университет ИТМО)

Дополнительная информация