Неделя науки СПбПУ 2016

В период с 14 по 19 ноября 2016 г. пройдет Научный форум с международным участием «XLV НЕДЕЛЯ НАУКИ СПбПУ».

 

Пленарное заседание секции "Физика полупроводников и наноэлектроника" в рамках «XLV НЕДЕЛЯ НАУКИ СПбПУ»

Время проведения: 18 ноября, 15:00.
Место: учебный корпус № 2 , ауд. 209 (см. карту кампуса университета) или (см. как пройти на кафедру ФПиНЭ)
Председатель – д.ф.-м.н., проф. Д.А. Фирсов
Секретарь – ст. преп. В.Ю. Паневин

Временной регламент: 10 мин на доклад.

Научная программа пленарного заседания:

1. Равновесные спектры отражения и пропускания наноструктур GaN/AlGaN/Al2O3 в терагерцовом диапазоне частот
А.А. Артемьев, студ. 4 к. (научн. руковод. – д.ф.-м.н., проф. В.А. Шалыгин), А.И. Галимов, А.С. Милентьев, М.Д. Молдавская, СПбПУ

2. Переход донор-зона проводимости в квантовой яме GaAs
Г.Р. Балахтарь, студ. 5 к., СПбПУ (научн. руковод. – проф. А.А. Костанян, РА(С)У, Армения)

3. Латеральная электропроводность гетероперехода GaN/AlGaN в сильных электрических полях
А.И. Галимов, студ. 5 к. (научн. руковод. – д.ф.-м.н., проф. В.А. Шалыгин), Е.Ю. Орлов, М.Д. Молдавская, СПбПУ

4. Поведение коэффициента Нернста-Эттингсгаузена в манганитах различных систем
М.В. Фетисова, студ. 5 к. (научн. руковод. – д.ф.-м.н. В.Э. Гасумянц), О.А. Мартынова, СПбПУ

5. Распределение носителей заряда в квантовых точках Ge/Si с неоднородным уширением спектра поглощения
Д.А. Пашнев, студ. 4 к., (научн. руковод. – к.ф.-м.н., доц. А.Н. Софронов), Р.М. Балагула, СПбПУ

6. Численное моделирование параметров лазера с пассивной синхронизацией мод на структурах с пониженной размерностью для оптимизации дизайна
Д.А. Рыбалко, асп. 2 г. (научн. руковод. – к. ф.-м.н., М.А. Одноблюдов), И.С. Полухин, Ю.В. Соловьев, Г.А. Михайловский, СПбПУ

7. Влияние оже-рекомбинации на концентрацию и разогрев носителей заряда в структурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb
А.А. Сорокина, студ. 4 к. (научн. руковод. – к.ф.-м.н., ст.преп. М.Я. Винниченко) И.С. Махов, СПбПУ

8. Поглощение терагерцового излучения свободными электронами в эпитаксиальных слоях GaN в электрическом поле
К.К. Юрков, студ. 5 к. (научн. руковод. – асп. Р.М. Балагула), М.Я. Винниченко, СПбПУ

Информацию о других мероприятиях XLV НЕДЕЛИ НАУКИ СПбПУ можно найти на сайте: http://week-science.spbstu.ru/conf2016/

Дополнительная информация