Завершилась XV всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике.

В Санкт-Петербурге, в конференц-зале Академического университета РАН с 25 по 29 ноября 2013 г. прошла Пятнадцатая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике.

Опубликовано 89 докладов из 24 вузов и научных центров 13 городов России, включая крупные научно-образовательные центры Сибири (Новосибирск, Красноярск, Барнаул, Томск), Урала (Екатеринбург Оренбург), Европейской части России (Москва, Санкт-Петербург, Нижний Новгород, Воронеж, Пенза, Ульяновск).

В программу были включены три приглашенных доклада ведущих российских ученых. С приглашенными докладами выступили: доктор физ.-мат. наук В.Т. Ким (ПИЯФ им. Б.П. Константинова) «Физика бозона Хиггса», доктор физ.-мат. наук Г.С. Соколовский (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН) «Нелинейная динамика лазеров с квантово-размерной активной областью при импульсной накачке», кандидат физ.-мат. наук А.Н. Поддубный (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН) «Фотонные кристаллы и метаматериалы: топологические изоляторы». На 9 пленарных заседаниях студентами и аспирантами было сделано 47 устных докладов. Состоялась стендовая сессия (39 докладов) по разделам: "Процессы роста, поверхность, границы раздела", "Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы", "Квантовые точки, квантовые нити и другие низкоразмерные системы", "Приборы опто- и наноэлектроники ", "Новые материалы".

Программный комитет отметил дипломами и премиями следующие работы аспирантов и студентов.

Премией имени Е. Ф. Гросса за лучшую работу в области оптики полупроводников награжден:

Димитриев Григорий Семенович, аспирант, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, руководитель В.Ф. Сапега, д.ф.-м.н., в.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Влияние одноосной деформации на магнитооптические свойства ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As» (премия 5000 руб.)

Дипломом I степени и премией награжден:

Барышников Кирилл Александрович, аспирант, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, руководитель Н.С. Аверкиев, д.ф.-м.н., зав. сек. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Влияние эффекта Яна-Теллера на поглощение ультразвука в кубическом полупроводнике ZnSe, легированном хромом, в магнитном поле» (премия 4500 руб.)

Дипломом II степени и премией награждены:

Миронова Мария Сергеевна, аспирантка, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, руководитель Г.Ф. Глинский, д.ф.-м.н., проф., СПбГЭТУ «ЛЭТИ», за доклад «Метод инвариантов в теории полупроводниковых гетероструктур. Спин-зависимое расщепление электронных состояний в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe» (премия 3500 руб.)

Румянцев Владимир Владимирович, аспирант, Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, руководитель В.И. Гавриленко, д.ф.-м.н., зам. директора ИФМ РАН, за доклад «Длинноволновая ИК фотолюминесценция и фотопроводимость в узкозонных твердых растворах Hg1-xCdxTe и КЯ Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe» (премия 3500 руб.)

Дипломом III степени и премией награждены:

Балагула Роман Михайлович, аспирант, СПбГПУ, Санкт-Петербург, руководитель А.Н. Софронов, к.ф.-м.н., доц., СПбГПУ, каф. ФПиНЭ, за доклад «Фотопроводимость массивов квантовых точек Ge/Si в среднем инфракрасном диапазоне» (премия 2500 руб.)

Чубанов Александр Александрович, аспирант, Нижегородский ГУ им. Н.И. Лобачевского, руководитель Д.В. Хомицкий, к.ф.-м.н., доц., Нижегородский ГУ им. Н.И. Лобачевского, за доклад «Краевые состояния и проводимость в топологическом изоляторе висмут на кремнии» (премия 2500 руб.)

Коптева Наталия Евгеньевна, студентка, СПбГУ, Санкт-Петербург, руководитель Р.В. Чербунин, к.ф.-м.н., стажёр-исследователь, СПбГУ, каф. ФТТ, за доклад «Фотоиндуцированное керровское вращение в микрорезонаторе» (премия 2500 руб.)

Егорова Светлана Германовна, студентка, МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, руководители Д.Р. Хохлов, д.ф.-м.н., МГУ им. М.В. Ломоносова, В.И. Черничкин, м.н.с., МГУ М.В. Ломоносова, за доклад «Транспортные свойства окисленных пленок селенида свинца» (премия 2500 руб.)

Василенко Максим Анатольевич, студент, Новосибирский ГТУ, соавтор А.Г. Супрунец, студ., 4 курс, Новосибирский ГТУ, руководитель Н.Л. Шварц, к.ф.-м.н., доц., ИФП СО РАН, за доклад «Монте-Карло моделирование самокаталитического роста нитевидных кристаллов GaAs» (премия 2500 руб.)

Кубашевский Евгений Павлович, студент, МГУ им. М.В. Ломоносова, руководители Е.В. Богданов, д.ф.-м.н., доц., МГУ им. М.В. Ломоносова, Н.Я. Минина, д.ф.-м.н., проф., в.н.с., МГУ им. М.В. Ломоносова, за доклад «Переключение поляризационных мод излучения лазерных диодов на основе p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs при одноосном сжатии» (премия 2500 руб.)

Дипломами награждены:

Большаков Андрей Сергеевич, аспирант, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, руководитель В.В. Чалдышев, д.ф.-м.н., в.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Резонансные брэгговские структуры на основе системы квантовых ям InGaN/GaN»

Курова Наталья Викторовна, аспирантка, Нижегородский ГУ им. Н.И. Лобачевского, руководитель В.А. Бурдов, к.ф.-м.н., доц. каф. ТФ, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, за доклад «Особенности безызлучательной Оже-рекомбинации в нанокристаллах кремния, легированных мелкими донорами (P, Li)»

Михайлов Иван Игоревич, аспирант, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, руководитель А.В. Соломонов, д.ф.-м.н., проф., СПбГЭТУ «ЛЭТИ», каф. МНЭ, за доклад «Люминесцентные эффекты в коллоидных квантовых точках на основе селенида кадмия»

Ламкин Иван Анатольевич, аспирант, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, руководитель А.В. Соломонов, д.ф.-м.н., проф., СПбГЭТУ «ЛЭТИ», каф. микро- и наноэлектроники, за доклад «Ультрафиолетовые фотодиоды на основе широкозонных нитридов»

Волкова Наталья Сергеевна, аспирантка, Нижегородский ГУ им. Н.И. Лобачевского, руководитель А.П. Горшков, к.ф.-м.н., доц., ННГУ им. Н.И. Лобачевского, каф. ФПО, за доклад «Влияние нейтронного облучения на оптоэлектронные свойства квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs»

Квашнин Дмитрий Геннадьевич, аспирант, Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, Москва, руководитель Л.А. Чернозатонский, д.ф.-м.н., проф., г.н.с., Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, за доклад «Возможные пути снижения работы выхода с графеновых наноструктур. Исследование квантово-химическими методами»

Лазаренко Александра Анатольевна, аспирантка, Академический университет НОЦНТ РАН, Санкт-Петербург, руководитель Е.В. Никитина, к.ф.-м.н., н.с. СПб АУ НОЦНТ РАН, лаб. наноэлектроники, за доклад «Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPNAs И InGaPN»

Барановский Максим Владимирович, аспирант, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, руководитель Г.Ф. Глинский, д.ф.-м.н., проф., СПбГЭТУ «ЛЭТИ», каф. МНЭ, за доклад «Динамическая теория адмиттанса квантово-размерных структур»

Дегтярев Владимир Евгеньевич, аспирант, Нижегородский ГУ им. Н.И. Лобачевского, руководитель С.В. Хазанова к.ф.-м.н., доц., ННГУ им. Н.И. Лобачевского, каф. ЭТТ, за доклад «Оптимизация параметров роста двойных туннельно-связанных квантовых ям InGaAs/GaAs»

Герт Антон Владимирович, аспирант, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, руководитель И.Н. Яссиевич, д.ф.-м.н., г.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Безызлучательная рекомбинация в нанокристаллах кремния»

Фирсов Дмитрий Дмитриевич, аспирант, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, руководитель О.С. Комков, к.ф.-м.н., доц., СПбГЭТУ «ЛЭТИ», каф. микро- и наноэлектроники, за доклад «Фотомодуляционная спектроскопия на основе инфракрасного фурье-спектрометра»

Зарин Максим Алексеевич, студент, Академический университет НОЦНТ РАН, Санкт-Петербург, руководитель В.П. Хвостиков, д.ф.-м.н., в.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе InGaAsP/InP гетероструктур»

Рыков Артем Владимирович, студент, Нижегородский ГУ, руководитель М.В. Дорохин, к.ф.-м.н., с.н.с., НИФТИ ННГУ, за доклад «Исследование люминесцентных свойств спиновых светоизлучающих диодов с дельта-слоями Mn»

Елистратова Марина Анатольевна, студентка, СПбГПУ, Санкт-Петербург, соавтор В.М. Зиминов, асп., СПбГПУ, руководитель И.Б. Захарова, к.ф.–м.н., доц., СПбГПУ, каф. ФППиНЭ, за доклад «Фотолюминесценция тонких композитных пленок на основе С60 с неорганическими донорами»

Синцова Ксения Анатольевна, студентка, СПбГПУ, Санкт-Петербург, руководитель Ю.Г. Шретер, д.ф.-м.н., проф. СПбГПУ, в.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Влияние латеральной делокализации носителей в квантовых ямах InGaN/GaN на эффективность светодиодов при высоких уровнях инжекции»

Котова Мария Сергеевна, студентка, МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, руководитель И.А. Белогорохов, к.ф.-м.н., с.н.с., ОАО ГНЦ РФ «ГИРЕДМЕТ», за доклад «Эффект резистивного переключения в органических материалах на микромасштабах и энергонезависимая память на его основе»

Милахин Денис Сергеевич, студент, Новосибирский ГТУ, руководитель К.С. Журавлев, д.ф.-м.н., в.н.с., ИФП СО РАН, за доклад «Физико-химические процессы при взаимодействии NH3 c поверхностью (0001) Al2O3»

Биккулова Алсу Валиулловна, студентка, МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, руководитель Д.Р. Хохлов д.ф.-м.н., МГУ им. М.В. Ломоносова, за доклад «Электронная структура и колебательные спектры молекул-оснований ДНК и РНК»

Строкова Юлия Александровна, студентка, Оренбургский ГУ, руководитель М.Г. Кучеренко, д.ф.-м.н., проф., Оренбургский ГУ, за доклад «Перенос энергии экситон-активированной квантовой нити в окружающую органическую среду»

Восемь докладов рекомендовано для участия в конкурсе по Программе «Участник молодежного научно-инновационного конкурса» («УМНИК») в номинации «Научные результаты, обладающие существенной новизной и перспективой их коммерциализации» с последующим их финансированием Фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере:

Махов Иван Сергеевич, студент, СПбГПУ, Санкт-Петербург, руководитель А.Н. Софронов, к.ф.-м.н., доц., СПбГПУ, каф. ФПиНЭ, доклад «Фотолюминесценция дальнего и ближнего ИК диапазона, связанная с примесными состояниями в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs»

Свистунов Александр Николаевич, студент, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, руководитель Р.В. Левин, н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, доклад «Разработка технологии получения методом газофазной эпитаксии слоев с изменяющейся шириной запрещенной зоны, для использования их в фотоэлектрических преобразователях»

Карпенко Елена Драгановна, студентка, СПбГПУ, Санкт-Петербург, руководитель А.В. Нащекин, к.ф.-м.н., с.н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, доклад «Исследование волноводных свойств стёкол с наночастицами серебра на поверхности для создания биосенсоров»

Бабичев Андрей Владимирович, аспирант, Академический университет НОЦНТ РАН, Санкт-Петербург, руководитель M. Tchernycheva, Institut d’Electronique Fondamentale, University Paris Sud XI, доклад «Светодиодные гетероструктуры на основе массива GaN пирамид с графеновым прозрачным контактом»

Пащенко Владимир Петрович, аспирант, СПбГПУ, Санкт-Петербург, руководитель В.В. Новиков, д.т.н., проф., в.н.с., ОАО «НПО «Радар ммс», доклад «Формирование индуцированной электрическим полем акустической сверхрешетки в сегнетоэлектрической тонкой пленке»

Соболев Максим Сергеевич, аспирант, Академический университет НОЦНТ РАН, Санкт-Петербург, руководитель А.Ю. Егоров, д.ф.-м.н., зав. лаб., СПб АУ НОЦНТ РАН, лаб. наноэлектроники, доклад «Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si»

Маричев Артём Евгеньевич, аспирант, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, руководитель Р.В. Лёвин, н.с., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, доклад «Фотоприемники лазерного излучения на основе фосфида индия»

Аблаев Гани Маликович, аспирант, Академический университет НОЦНТ РАН, Санкт-Петербург, руководитель Е.И. Теруков, д.т.н., НТЦ ТПТ в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, доклад «Полупрозрачные солнечные модули на основе аморфного и микрокристаллического кремния»

Дополнительная информация