Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники входит в состав Института физики, нанотехнологий и телекоммуникаций (ИФНиТ) Санкт-Петербургского государственного политехнического университета (СПбГПУ). Основана в 1958 году. Кафедра выпускает бакалавров и магистров, готовит аспирантов и докторантов. На кафедре ведутся прикладные и фундаментальные научные исследования, в том числе в рамках международных проектов.

Научная работа на кафедре связана со следующими основными научными направлениями:

  • Исследование квантово-размерных структур
  • Исследование взаимодействия оптического излучения с неравновесными носителями заряда в полупроводниках и в квантово- размерных структурах
  • Разработка элементной базы (источников и приемников излучения) для оптических систем и сетей связи, новых оптоэлектронных приборов на горячих носителях заряда и новых методик бесконтактной диагностики полупроводниковых материалов и наноструктур
  • Физика высокотемпературных сверхпроводников
  • Исследование фоточувствительных пленок и структур
  • Туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия
  • Исследование новых углеродных материалов - фуллеренов и нанотрубок
  • Разработка новых устройств тепловидения, низкотемпературная спектроскопия

Уровень подготовки специалистов на кафедре отвечает самым высоким международным стандартам. Здесь работают 10 профессоров - докторов физико-математических наук и 14 доцентов - кандидатов физико-математических наук. Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники предлагает студентам десять основных блоков дисциплин:

  • Физика твердого тела и полупроводников
  • Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках
  • Полупроводниковые электронные приборы
  • Технология полупроводников и наноразмерных структур
  • Микро- и наноэлектроника
  • Волоконнооптические линии связи
  • Квантово-размерные структуры и приборы наноэлектроники
  • Дисциплины специализаций и дисциплины по выбору
  • Научно-техническое общение на английском языке
  • Маркетинг и менеджмент электронной техники

Дополнительная информация